碳化硅场效应晶体管
金属-氧化物半导体场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
主要规格：
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型号 |
漏源击穿电压 BVDS(V) |
漏源导通电阻RDS(on)(mΩ) |
导通电流IDS(A) |
漏源漏电流IDSS(μA) |
推荐封装形式 |
下载 |
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HDM120030EG11 |
1200 |
30 |
81 |
1 |
TO-247-3 |
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HDM120040EG11 |
1200 |
40 |
62 |
1 |
TO-247-3 |
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HDM120080EG11 |
1200 |
80 |
33 |
1 |
TO-247-3 |
download |
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HDM1701K0EG11 |
1700 |
1000 |
4.2 |
1 |
TO-247-3 |
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HDM170045FG11 |
1700 |
45 |
55 |
1 |
TO-247-3 |
备注：规格书将会持续更新
❏ 高阻断电压
❏ 低导通电阻
❏ 雪崩耐受性强
❏ 便于并联，易于驱动
❏ 更高的系统效率
❏ 更低的冷却需求
❏ 更高的功率密度
❏ 更高的系统开关频率
❏ 低导通电阻
❏ 雪崩耐受性强
❏ 便于并联，易于驱动
❏ 更高的系统效率
❏ 更低的冷却需求
❏ 更高的功率密度
❏ 更高的系统开关频率
