首页标题    碳化硅功率器件    肖特基二极管
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肖特基二极管

         SiC SBD可实现Si FRD无法实现的极短反向恢复时间,且反向恢复特性几乎不受温度变化影响,使得高速开关成为可能。由于反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗,实现设备小型化。

    JBS肖特基二极管产品,结合先进的薄片技术抗浪涌技术,在显著提升产品电流密度、降低正向导通电压的同时,仍保持高的浪涌电流以及低的反向漏电。合理的可靠性设计及规范的产品管控,使产品能稳定工作于多种严苛工况下,满足各种应用需求。

 

 

主要规格:

型号

直流反向电压 VR(V)

正向导通电流 IF(A)

正向压降

VF(TJ =25℃) (V)

反向漏电流

IR(TJ =25℃) (μA)

推荐封装形式

下载

HDS06504AG11

650

4

1.4

1

TO-220

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HDS06506AG11

650

6

1.4

2

TO-220

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HDS06508AG11

650

8

1.4

2

TO-220

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HDS06510AG11

650

10

1.4

1

TO-220

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HDS06520AG11

650

20

1.4

2

TO-220

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HDS12005AG11

1200

5

1.48

2.5

TO-220

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HDS12010AG11

1200

10

1.55

1

TO-220

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HDS12020DG11

1200

20

1.6

3

TO-247

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HDS12040DG11

1200

40

1.6

3

TO-247

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备注:规格书将会持续更新

 

 

 

 

❏ 肖特基整流器              
❏ 基本无开关损耗
❏ 零反向恢复电流             
❏ 更高的系统效率
❏ 与温度无关的温度特性         
❏ 更低的冷却需求
❏ 高开关速度

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